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NTS2101PT1G规格
信息来源 : 网络
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发布时间 : 2024-02-18 10:42
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浏览次数 : 328
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Id-连续漏极电流: 1.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 6.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 290 mW
通道模式: Enhancement
系列: NTS2101P
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 0.85 mm
长度: 2.1 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6.2 ns
宽度: 1.24 mm
单位重量: 6 mg
